原子层沉积(ALD)技术由于其沉积参数的高度可控性(厚度，成份和结构)，优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。我们给客户生产的ALD设备主要应用于能源转化与储存领域中的基础研究，目前，原子层沉积设备运行良好，已用ALD对电极材料包覆超薄氧化物钝化层(如TiO2和Al2O3)，优化包覆条件，获得高容量、高稳定性锂离子电池电极材料。

产品特点

 高度集成和灵活性: 该系列适用于固态、液态、气态前驱体源。提供2路到6路前驱体源管路供用户选择。兼容臭氧发生器、气氛手套箱、大尺寸多片样品沉积附件等多种选配件。

    精确控制与多种沉积模式: 用户可通过设定循环次数和时间来实现原子级尺度厚度可控的薄膜沉积。可实现高速沉积、对微孔内壁、超高宽深比结构等复杂异型3D结构的沉积。消除CVD效应和前驱体反流对沉积过程的影响。实现在材料物质改性等领域的重要应用。

 完美、易操作性: 操作界面直观简单, 操作者很容易熟练掌握。所有参数(前驱体源温度、管路温度、腔体温度、载气流量，脉冲时间等)均在计算机操作界面中设定修改，整个沉积过程及状态参数均实时显示。所有薄膜沉积模式及工艺配方均可以实现自动存储调用。包含多重安全保护机制，如过压保护及出现异常自动关闭ALD阀门防止前驱体泄漏等。

 稳定可靠与低使用维护成本: 最紧凑的全部加热的管路设计和大面积小体积的腔体结构，结合特殊的尾气处理装置，把前驱体源的浪费减少到最低，既有效地节约了前驱体的使用量，同时又避免了在管路中的残留反应和对真空泵的污染所造成的损失。

 基本技术参数

基片尺寸:4 -12 英寸可选

样品高度:6 mm可选配更高样品选件

基片温度:RT-400℃，控制精度±1℃，可选配更高温度选件

前驱体输运系统:标准2路前驱体管路，可以选配到6路以上

载气系统:N2或者Ar

沉积均匀性:Al2O3  均匀性 <+/−1%

电源: 50-60Hz, 220V /15A交流电源

机柜: 标准金属机柜，易拆卸柜板，可调节支脚

   仪器尺寸:1100 X 600 X 1200 mm

   高度集成和灵活性: 该系列适用于固态、液态、气态前驱体源。提供2路到6路前驱体源管路供用户选择。兼容臭氧发生器、气氛手套箱、大尺寸多片样品沉积附件等多种选配件。

本设备采用控温精度高的真空管式炉，借助辉光放电等方法能够产生高达109-1012cm3的电子密度，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备。主要进行氧化物、氮化物纳米结构的可控气氛生长，石墨烯等各类纳米材料，纳米薄膜的制备与合成。

    我公司生产的小型磁控溅射镀膜机设备集成度高，结构紧凑，占地面积小，可以满足客户实验室空间不足的苛刻条件。